RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
60
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
60
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2554
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link