RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
54
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3051
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link