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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
54
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3809
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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