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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
54
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2814
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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