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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
54
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3341
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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