RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3736
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link