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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
54
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2808
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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