RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3733
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link