RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2962
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link