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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
54
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3024
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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