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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
73
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
73
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1712
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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