RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3680
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link