RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2913
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link