RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link