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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
4129
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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