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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2486
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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