RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
74
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
74
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1495
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link