RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2605
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link