RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
54
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2074
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link