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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Puntuación global
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
Kingston KTD3KX-MIB 8GB Razones a tener en cuenta
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 54
    En -108% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 9.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    54 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.2 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2105 left arrow 1931

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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