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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2708
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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