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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
54
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2623
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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