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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
54
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2220
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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