RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
54
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2238
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link