RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
54
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2173
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link