RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
54
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2590
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link