RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
54
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2664
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link