RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2841
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link