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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
54
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
51
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2570
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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