RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
75
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
75
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1729
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link