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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
54
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
50
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2512
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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