RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1983
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link