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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
54
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2831
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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