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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
72
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
72
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1593
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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