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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3552
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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