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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
54
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2789
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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