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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
54
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2381
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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