RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
66
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
66
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1934
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link