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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2476
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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