Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Puntuación global
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    54 left arrow 73
    En 26% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.2 left arrow 9.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    54 left arrow 73
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.2 left arrow 15.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2105 left arrow 1843
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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