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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2517
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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