RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
63
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
50
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2111
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link