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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2129
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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