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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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