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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
63
En -215% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
20
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3492
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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