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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Especificaciones
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3783
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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