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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3437
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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