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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3230
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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