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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
63
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
61
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2025
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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