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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2628
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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